Алфьоров жорес іванович

Відео: Жорес Іванович Алфьоров на Дощі 3.04.2012

Жорес Іванович Алфьоров (Біл. Жарес Алфёраў * 15 березня 1930 року, Вітебськ) - радянський і російський фізик, лауреат Нобелівської премії з фізики 2000 роки за розробку напівпровідникових гетероструктур та створення швидких опто-та мікроелектронних компонент, академік РАН. Його дослідження мали велику роль в інформатиці. Депутат державної думи РФ. Є ректором-організатором Академічного фізико-технологічного університету. У 2004 році Ж. Алфьорова була визнана почесним членом Національної Академії наук Азербайджану.
Жорес Іванович Алфьоров народився 15 березня 1930 року в Вітебську.
Він вступив до Ленінградського електротехнічного інституту ім. В. І. Леніна (( «ЛЕТІ»)), на факультет електроніки, за спеціальністю електровакуумні техніка. Закінчив інститут в 1952 році.
З 1953 року Жорес Алфьоров працює в фізико-технічному інституті РАН ім. А. Ф. Іоффе, очоливши його в 1987 році.
У 1961 році Алфьоров отримав ступінь кандидата технічних наук. У 1970 році він отримує ступінь доктора фізико-математичних наук.
У 1972 році Жорес Іванович Алфьоров став професором ЛЕТІ. З 1973 року став завідувачем кафедри оптоелектроніки цього інституту.
У період з 1990 до 1991 року Жорес Алфьоров займав посаду віце-президента АН СРСР і голови президії Ленінградського наукового центру.


У 1988 році Жорес Алфьоров став деканом фізико-технічного факультету Ленінградського політехнічного інституту.
З 1991 року Жорес Іванович Алфьоров - віце-президент РАН і голова президії Санкт-Петербурзького наукового центру РАН.
Жорес Алфьоров працює в галузі фізики напівпровідників, квантової і напівпровідникової електроніки, технічної фізики.
Алфьоров і Путін Жорес Іванович брав участь у створенні перших радянських транзисторів, фотодіодів і потужних германієвих випрямлячів.
Жорес Алфьоров відкрив явище надінжекціі в гетероструктурах. Він показав, що в гетероструктурах можна принципово інакше управляти світловими і електронними потоками. Жорес Іванович Алфьоров відкрив перші ( «ідеальні») гетероструктури: арсенід алюмінію - арсенід галію (Al As - Ga As).


Жорес Іванович Алфьоров створив напівпровідникові лазери на основі подвійних гетероструктур, реалізував безперервний режим генерації при кімнатній температурі.
В результаті роботи Алфьорова з`явився новий напрям - фізика гетероструктур, а також оптоелектроніка та електроніка на їх основі.
Жорес Алфьоров - головний редактор журналу ( «Листи в Журнал технічної фізики»).
Алфьоров - автор понад 50 винаходів і 500 наукових робіт, зокрема трьох монографій.
Жорес Іванович нагороджений орденами Жовтневої Революції, Леніна ( «Знак Пошани»), Трудового Червоного Прапора ( «За заслуги перед Вітчизною») 3 ступеня, різними медалями СРСР і Російської Федерації, японської премією Кіото (Kyoto Prize) за 2001 рік.
Жорес Іванович Алфьоров разом з Гербертом Кремером удостоєний Нобелівської премії з фізики за 2000 рік. Вони разом відкрили швидкі опто-та мікроелектронні компоненти на базі багатошарових напівпровідникових структур (напівпровідникових гетероструктур. На базі цих технологій були створені швидкі транзистори і лазерні діоди.

Увага, тільки СЬОГОДНІ!