Донор електрона

Відео: donory

донор електрона (Донор електронів, напівпровідники) - домішка, який віддає електрон. Зазвичай це відбувається при перенесенні електрона (тобто, окислювально-відновних реакціях. У процесі реакції донор електрона окислюється, а інший реагент (акцептор електрона) відновлюється.
Донор електрона віддає електрон перебіг процесів клітинного дихання, приводячи до виробництва енергії. Мікроорганізми, наприклад бактерії, отримують енергію для росту, передаючи електрони з донора електрона до акцептора електрона. Мікроорганізм через свої клітинні системи збирає енергію для власного використання. Протягом цього процесу (електронний транспортний ланцюжок) донор електрона окислюється, а акцептор електрона - відновлюжться. Вуглеводні нафти, мало-хлоровані розчинники, подібно вініл-хлориду, органічні речовини грунту і відновлені неорганічні сполуки - всі вони можуть служити донорами електрона. Ці реакції представляють інтерес не тільки тому що вони дозволяють організмам отримувати енергію, але також і тому що вони залучаються до природної біологічної розпаду органічних забруднювачів.
У напівпровідниках
Схематичне зображення кремнію з донорной домішкою фосфору Цей термін також використовується в напівпровідниковій техніці, де донор електронів - речовина, що додається до напівпровідник в невеликій кількості і віддає один або більше електронів в напівпровідник, створюючи надлишок електронів - так званий «напівпровідник n-типу».
Донор електрона, або просто донор є домішкою, яка має надлишок валентних електронів в порівнянні з напівпровідником, до якого вона додається. Атом донора утримує зайвий електрон слабо, і при достатній температурі цей електрон може перейти в зону провідності, і брати участь в електричний струм.
Додатковий електрон, пов`язаний з атомом донора, утворює так званий донорний рівень в забороненій зоні. Донорний рівень називається дрібним, якщо його енергія (відраховується від дна зони провідності) порівнянна з характерною енергією теплового руху при кімнатній температурі k b T, де T - температура, а k B - постійна Больцмана. Ця енергія становить приблизно 26 МеВ.
Зайвий електрон притягається кулоновской силою до іона донора, який має надлишковий позитивний заряд в порівнянні з атомами напівпровідника. Внаслідок такого тяжіння донорні рівні утворюють водородоподобном серію з енергіями, які можна розрахувати за формулою



де E d - енергія донорного рівня, E C - енергія дна зони провідності, R H - постійна Рідберга (приблизно 13,6 еВ), - Ефективна маса електрона, m 0 - маса вільного електрона, - Діелектрична проникність напівпровідника, а n - ціле число, яке може пробігати значення від одиниці до нескінченності, але практично важливі лише кілька найнижчих рівнів з малими n.
Завдяки тій обставині, що ефективні маси електронів в напівпровідниках малі, а діелектричні проникності досить великі (близько 10), енергія донорних рівнів мала, а радіуси локалізації відповідних хвильових функцій досить великі, поширюються на декілька періодів кристалічної решітки.

Скачайте для себе готовий robots.txt для DLE та WordPress.

Увага, тільки СЬОГОДНІ!